原子层沉积(ALD)

原子层沉积(ALD)是一种薄膜生长技术，能够为电子器件(电源和射频)沉积无针孔和均匀的绝缘体薄膜。ALD在高长宽比沟槽和通孔结构上提供了优异的保形性，在角级的厚度控制，以及基于连续、自限性反应的可调整薄膜成分。Samco提供高度灵活的开放式热ALD系统AL-1和负载锁定等离子体增强ALD系统AD-230LP。

主要特点和优点

• 可以在原子层水平上实现均匀的层控制。
• 可实现高纵横比结构的共形沉积。
• 具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。
• 采用独特的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。
• 通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积最小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。

应用

• 氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。
• 电子设备的闸门绝缘子
• 半导体、有机EL等的钝化膜。
• 半导体激光器的反射面
• 在MEMS等3D结构上的沉积
• 石墨烯上的沉积
• 碳纳米管保护膜粉末涂层