对传统热蒸发技术难以实现的材料蒸发，可采用电子束蒸发(E-beam Evaporation)的方式来实现。不同于传统的辐射加热和电阻丝加热，高能电子束轰击可实现超过3000℃的局域高温，这使得绝大部分常用材料都可以被蒸发出来，甚至是高熔点的材料，例如，Pt，W，Mo，Ta以及一些氧化物，陶瓷材料等。矽碁提供的电子束蒸发源可承载1-6种不同的材料，实现多层膜工艺；蒸发源本身防污染设计，使得不同材料之间的交叉污染降到最低。特别是针对Lift-off工艺的样品高温问题，设备配置了低温的样品台，可避免光刻胶碳化问题；样品台可倾斜以便选择不同角度进行蒸镀，可实现良好的覆盖性。

技术参数：

1. 本底真空10-7 Torr；

2. 基片台可定制，单片或多片；

3. 坩埚数量：1 ~ 6；

4. 坩埚防污染设计；

5. 石英晶振测量膜厚；

6. 样品可旋转并加热至：300℃/500℃/800℃；

7. 可配备离子束辅助沉积；

8. 可配备快速进样室；

9. 可与手套箱集成；

10. 可根据用户要求将其它镀膜技术与电子束蒸发集成，例如磁控溅射，热蒸发等；

11. 全自动控制系统；

12. 可选配带冷却功能的样品台，适合用于lift-off工艺；

13. 可选配倾角可调的样品台，增加薄膜的台阶覆盖能力。