用于薄膜沉积的 LD 原子层沉积是基于气相化学过程顺序使用的最重要的技术之一;它可以被认为是一种特殊类型的化学气相沉积 （CVD）。大多数 ALD 反应使用两种或多种称为前体（也称为“反应物”）的化学物质。这些前驱体以连续的、自限性的方式一次与一个材料的表面发生反应。通过 ALD 循环次数，薄膜缓慢沉积。ALD 是制造半导体器件的重要工艺，也是可用于合成纳米材料的工具集的一部分。

ALD 具有许多优点，例如出色的均匀性、薄膜保形性，即使在复杂形状的衬底上也能沉积相同的薄膜厚度，低温加工。因此，原子层沉积 （ALD） 应用于微电子、纳米技术和生物技术领域的许多应用，这些应用通常在有机和生物样品等软衬底上工作。

技术参数：

1. 灵活的基板尺寸，直径可达 12 英寸晶圆。
2. 优异的薄膜均匀性，小于 ±1%。
3. 与高纵横比和复杂结构的加工高度一致。
4. 前驱体源 多达 6 个前驱体单独加热至 200°C。
5. 快速脉冲气体输送阀，响应时间为 10 毫秒。
6. 基板加热至 400°C。