图形化晶圆缺陷检测设备具有明场、暗场、AI、结合空间滤波技术，能够检测图形化的Si/GaN/SiC晶圆上的颗粒、划痕、坑洼和凸起等缺陷。该工具的主要应用是用于检测HVM IC Fab中各种前端工艺节点，以提高芯片生产的良率。 

设备描述

晶圆搬运 EFEM: 6” / 8” SMIF or 12” FOUP  

适用晶圆 Si/GaN/SiC  

晶圆翘曲 不大于200um  

晶圆厚度 350um~1.5mm（在晶圆底部打开并夹持）  

明场和斜入射暗场 

图形化晶圆颗粒检测灵敏度 100nm  

工艺节点 90,130nm 

可用选配项

/OCR：OCR，识别率≥99%（符合SEMI字体标准，刻字不清晰除外）  

/IV：离线图像查看软件，可用于离线分析  

/SG：SECS-GEM，支持SEMI自动化标准SECS/GEM通信接口，符合SEMI E5-（SECS-II）、SEMI E30-（GEM）、SEMI E37-（HSMS）通信标准，并保留其他通信协议接口 

/PSL：PSL Si标准晶圆